Die verschiedenen Hersteller sind seit DDR3-SDRAM wirklich nicht mehr so bedenklich. Einzig die elektrischen Eigenschaften müssen stimmen, und das nicht bei der schlechtesten Spezifikation, sondern schon dort, wo der Speicher seine Leistung verspricht.
Natürlich kann es passieren, dass mal nicht so läuft, wie man das sich erhofft hatte. Auch ich kenne diese Situation aus einer nicht all so weiten Rückblende:
Ein Corsair Vengeance Pro CMY16GX3M2A2400C11A [v4.21] mit seinen B-Dies Samsung SEC 304 K4B4G0846B-HYK0, Samsung SEC 319 K4B4G0846B-HYK0 und Samsung SEC 322 K4B4G0846B-HYK0 passt nicht zu einen G.Skill RipJawsX F3-2400C11D-16GXM mit seinen M-Dies SK Hynix H5AN4G8NMFR-TFC und trotz des gleichen Herstellers passte dieser auch nicht mit dem G.Skill Ares F3-2400C11D-16GAB mit seinen B-Dies SK Hynix H5TQ2G83CFR-H9C zusammen.
Und egal, wie sehr versucht wurde, mit den verfügbaren Mitteln, die Cycles anzugleichen, es brachte keine Besserung, weil die Unterschiede einfach viel tiefer beginnen, nämlich am Schaltvorgang des Signals in einem Mikrochip hinein, daraufhin erfolgt der eigentliche Schritt, und letztendlich der, mit den das Signal nach außen und zum nächsten Mikrochip geführt wird. Und zu guter Letzt vom Speichermodul zur Speicherbank und von dort korrelieren dann die Daten mit denen der übrigen Speichermodule, denn diese Daten müssen synchron verlaufen und das in der gleichen Signallänge/in der gleich langen Signallaufzeit - die Größen der Datenbakete/die Breiten und die Schwingungsmuster (Wobble) der Bahnen, korrekterweise "Burst" genannt. Die Harmonisierung dessen nennt man Oszillation. Der Speichercontroller, der sitzt in der CPU, kann keine Transaktionen verarbeiten, welche asynchron verlaufen. Der müsse zudem jedes Mal auf das langsamste Glied/auf das späteste Glied warten, weil seine Transaktionsrate zu lange Datenpakete erlaubt. Das sind Tastgrade - diese kann man nicht mit dem Kopf durch die Wand wegdenken. Es kommt auf die elektrischen Eigenschaften an. Namen sind hierbei wie Schall und Rauch.